MEMORIA DRAM
DRAM (Dinamic Random Access Memory): ya que es
"la original", y por tanto la más lenta. Son memorias en las
cuales el estado (0 ó 1)
se almacena en un dispositivo electrónico cuya forma de funcionamiento podemos compararla con un condensador que
tiende a descargarse. Por ello, cada cierto tiempo, entre 1 y 18 millones de veces cada
segundo, hay que enviar una señal, que se denomina señal de refresco, que recuerde a la
memoria la información que posee, ya que ésta,
se pierde poco después de haberse introducido. El microprocesador es el que da las
órdenes oportunas para que la señal de refresco llegue a la memoria. La frecuencia de
esta señal de refresco tiene que ser suficientemente alta para que no dé tiempo a que se
pierda la información contenida en la memoria. La capacidad de las memorias
DRAM va de 64Kbit a 32Mbit (la capacidad de los chips de memoria se suele medir
en bits y no en bytes). El tiempo medio de acceso de esta memoria oscila entre
80ns y 50ns. Actualmente no se emplean directamente los chips de memoria, sino
que se agrupan varios en una placa, con un conector estándar para poder
colocarse mejor; son los llamados SIMM (Single Inline Memory Module) que han
existido de dos tipos: de 30 contactos (casi en desuso) y de 72 contactos. Posteriormente
aparecieron los llamados DIMM (Dual Inline Memory Module), que tienen 168
contactos y su capacidad varía desde 8Mb hasta 128 MB.
EDO-RAM (Extended Data Output RAM)
Lanzada en 1994 y con tiempos de
accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO,
también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que
va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando
como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el
próximo ciclo de lectura.
BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)
Fue la evolución de la EDO RAM y
competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que
usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de
memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor
que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se
decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del
direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como señales de
reloj.
Publicado por: Wisman Silva
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ResponderEliminarUNA MIERDA DE INFORMACION HP
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